tailieunhanh - bài giảng môn học quang điện tử và quang điện, chương 12

Trứơc tiên cần xác định độ rộng băng của nhiễu, ≈ độ rộng băng điện thường của hệ thống, bao gồm đầu thu, các bộ khuyếch đại và thiết bị đo có mặt trên đường đo tín hiệu . - Nếu độ rộng băng điện tổng có đường cong đáp ứng với độ dốc ≥ -18 (dB/octave) ở trên tần số cắt trên thì độ rộng băng nhiễu ≈ độ rộng băng điện . - Nếu độ dốc là -6 hay -12 (dB/octave) thì độ rộng băng nhiễu = độ rộng băng điện fb x hệ số chỉnh độ rộng. | chương 12 Tính toán nhiễu Trứơc tiên cần xác định độ rộng băng của nhiễu độ rộng băng điện thường của hệ thống bao gồm đầu thu các bộ khuyếch đại và thiết bị đo có mặt trên đường đo tín hiệu . - Nếu độ rộng băng điện tổng có đường cong đáp ứng với độ dốc -18 dB octave ở trên tần số cắt trên thì độ rộng băng nhiễu độ rộng băng điện . - Nếu độ dốc là -6 hay -12 dB octave thì độ rộng băng nhiễu độ rộng băng điện fb x hệ số chỉnh độ rộng băng Af Kb . fb Kb n 2 với độ dốc -6 dB octave hay -20 dB decade. với độ dốc -12 dB octave . với các pin nhiệt điện NEP được định nghĩa theo IEEE NEP P0 với P0 là công suất sóng tới mà điện áp tín hiệu VS điện áp nhiễu VN. Có thể viết NEP VN VS .Pi Tong đó Pi là công suất sóng tới Pi Trong các data sheet thường dùng NEP chuẩn hoá NEP VN VS Af 1 2 Trong data sheet D VN VS Af A 1 2 1 H PN JUNCTION DETECTORS 1 Giới thiệu - Photo diode là các detector tạo ra dòng điện phụ thuộc vào bức xạ. - Có 4 dạng cơ bản Planar PN junction Schottky barrier photodiode PIN photodiode và Avalanche photodiode APD - Có 2 mode hoạt động Mode quang dẫn Æ phân cực ngược tải nối tiếp Æ ngắn mạch nối với OP- AMP Mode quang thế Æ nối tải không có thế phân cực 2 Các đăc trưng cơ bản Được cấu tạo với một phía của cấu trúc bán dẫn được mở cho bức xạ đi qua 1 cửa sổ hoặc một lớp phủ bảo vệ. Cấu trúc planar diffused photodiode rất mỏng diện tích bề mặc rộng đế N dày hơn lớp bề mặt P nhận bức xạ tới được chế tạo theo phương pháp khuếch tán khí vào bán dẫn. Schottky barrier photodiode dùng lớp màng vàng mỏng phủ lên đế bán dẫn loại N. Biên phân cách giữa Au N-Semiconductor hình thành 1 rào thế. Đáp ứng phổ phẳng hơn PN photodiode trong vùng IF visible và nhạy hơn trong vùng .