tailieunhanh - Hiệu ứng “Switching” và ứng dụng trong kỹ thuật của hợp chất Ge2Sb2Te5

Bài viết Hiệu ứng “Switching” và ứng dụng trong kỹ thuật của hợp chất Ge2Sb2Te5 tập trung vào tính chất điện, hiệu ứng “Switching” của hợp chất Ge2Sb2Te5 và ứng dụng của chúng trong công nghệ kỹ thuật. | Tạp chí Khoa học và Công nghệ Số 25 2017 HIỆU ỨNG SWITCHING VÀ ỨNG DỤNG TRONG KỸ THUẬT CỦA HỢP CHẤT Ge2Sb2Te5 NGUYỄN HUY PHÚC Khoa Công nghệ Cơ khí Trường Đại học Công nghiệp thành phố Hồ Chí Minh huyphuc1984@ Tóm tắt. Hợp chất họ Chalcogenide trong đó Ge2Sb2Te5 được xem là ứng cử viên đặc biệt được sử dụng trong các thiết bị lưu trữ thông tin bởi chu trình lưu và xóa thông tin rất lớn 106 1013 lần và thời gian lưu xóa đọc thông tin diễn ra rất nhanh 50s gấp 103 lần so với những bộ nhớ dạng flash. Đồng thời việc lưu và xóa thông tin diễn ra không yêu cầu tốn nhiều năng lượng. Hiệu ứng switching và hiệu ứng nhớ là hai hiệu ứng song song rất đặc trưng của Ge2Sb2Te5. Quá trình chuyển trạng thái từ điện trở cao đến điện trở thấp và ngược lại dưới sự tác dụng của xung điện đã tạo tiền để cho việc nghiên cứu và chế tạo tế bào nhớ pha Phase Change Memory . Ứng dụng tính chất quang của hợp chất này đã có mặt trên thị trường. Đó là việc sử dụng hợp chất Ge-Sb-Te trong lớp lưu trữ thông tin của đĩa quang nhiều dạng khác nhau CD-RW DVD-RW Blue-ray . Vì vậy các nghiên cứu trong bài báo này tập trung vào tính chất điện hiệu ứng switching của hợp chất Ge2Sb2Te5 và ứng dụng của chúng trong công nghệ kỹ thuật. Từ khóa. Chất bán dẫn họ Chalcogenide bộ nhớ chuyển pha vật liệu thông minh đĩa quang SWITCHING EFFECT OF Ge2Sb2Te5 AND ITS APPLICATION IN MODERN TECHNOLOGY Abstract. Thin films of materials based on chalcogenide semiconductor Ge-Sb-Te GST system are cur- rently intensively studied due to their successful applications in devices of phase change memory PCM . Such materials are particularly used in optical rewritable disks with different formats DVD-RW Blu- Ray and nonvolatile memory cells of PCRAM Phase Change Random Access Memory type. The work of such devices is based on rapid reversible phase transitions amorphous crystalline state which take place in nanovolume of material under low-energy external influences a laser beam or an electric im- pulse. These phase .