tailieunhanh - Đánh giá hiệu suất của sơ đồ chỉnh lưu VIENNA 3 mức với van bán dẫn SiC gan và khả năng chịu lỗi của mạch

Bài viết Đánh giá hiệu suất của sơ đồ chỉnh lưu VIENNA 3 mức với van bán dẫn SiC gan và khả năng chịu lỗi của mạch đánh giá sơ đồ VIENNA 3 Mức tần số cao điều khiển PWM sử dụng van bán dẫn SiC và GaN trong đó MOSFET SiC sẽ được coi là ưu tiên. | TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ NĂNG LƯỢNG - TRƯỜNG ĐẠI HỌC ĐIỆN LỰC ISSN 1859 - 4557 ĐÁNH GIÁ HIỆU SUẤT CỦA SƠ ĐỒ CHỈNH LƯU VIENNA 3 MỨC VỚI VAN BÁN DẪN SIC GAN VÀ KHẢ NĂNG CHỊU LỖI CỦA MẠCH PERFORMANCE EVALUATION OF 3-LEVEL VIENNA RECTIFIER WITH SIC GAN SEMICONDUCTOR DEVICES AND CIRCUIT FAULT TOLERANCE Phạm Thị Thùy Linh Trường Đại học Điện lực Ngày nhận bài 27 05 2022 Ngày chấp nhận đăng 22 7 2022 Phản biện . Phạm Tuấn Thành Tóm tắt Các van bán dẫn sử dụng vật liệu wide-gap như SiC và GaN hiện đang rất phổ biến với các thiết kế bộ biến đổi hiệu suất cao. Trên thực tế việc tích hợp các van bán dẫn này có thể đạt được mức mật độ và hiệu suất năng lượng cao hơn nhiều so với sử dụng các van bán dẫn của thế hệ trước theo công nghệ silicon. Bài báo này đánh giá sơ đồ VIENNA 3 Mức tần số cao điều khiển PWM sử dụng van bán dẫn SiC và GaN trong đó MOSFET SiC sẽ được coi là ưu tiên. Hơn nữa kết quả nghiên cứu về khả năng chịu lỗi của mạch điện cũng như giải pháp để bảo vệ mạch điện cũng được đề xuất và trình bày. Các tính toán và mô phỏng bằng phần mềm PSIM xác nhận tính hiệu quả của bộ biến đổi cũng như giải pháp bảo vệ được đề xuất. Từ khóa Bộ biến đổi đa mức VIENNA hiệu chỉnh hệ số công suất điều chế độ rộng xung khả năng chịu lỗi. Abstract The Wide-gap semiconductor materials such as SiC and GaN are now very popular with high efficiency converter designs. In fact the integration of these semiconductor devices can achieve a much higher level of density and energy efficiency than using the previous generation of silicon- based semiconductor devices. This paper evaluates the 3-Level VIENNA high frequency PWM control using SiC and GaN semiconductor in which MOSFET SiC will be considered as the priority. Furthermore research results on fault tolerance of converter as well as solutions to protect circuits are also proposed and presented. Calculations and simulations using PSIM software confirm the effectiveness of the converter as well as the proposed protection .