tailieunhanh - Nghiên cứu tính toán hiệu năng cao các tính chất vật lý thiết yếu của vật liệu germanene 1D thay thế nguyên tử carbon

Bài viết "Nghiên cứu tính toán hiệu năng cao các tính chất vật lý thiết yếu của vật liệu germanene 1D thay thế nguyên tử carbon" trình bày các đặc tính cấu trúc và điện tử của các AGeNR thay thế nguyên tử C sẽ được nghiên cứu chi tiết thông qua các tính toán DFT. Thông qua các tính toán DFT, một khung lý thuyết tổng quát để xác định các tính chất cấu trúc và điện tử là được phát triển đầy đủ bao gồm năng lượng hình thành, các thông số mạng tinh thể tối ưu, cấu trúc vùng điện tử, mật độ trạng thái điện tử và phân bổ mật độ điện tích không gian. Mời các bạn cùng tham khảo! | NGHIÊN CỨU TÍNH TOÁN HIỆU NĂNG CAO CÁC TÍNH CHẤT VẬT LÝ THIẾT YẾU CỦA VẬT LIỆU GERMANENE 1D THAY THẾNGUYÊN TỬ CARBON Nguyễn Duy Khanh1 Tô Vĩnh Bảo1 Ung Thị Ngọc Nga2 1. Trung tâm Công nghệ thông tin. 2. Viện Phát triển Ứng dụng Email khanhnd@ TÓM TẮT Các tính chất cấu trúc và điện tử của germanene 1D thay thế nguyên tử carbon C là được nghiên cứu thông qua các tính toán phiếm hàm mật độ DFT hiệu năng cao. Thông qua các tính toán DFT các đại lượng vật lý để xác định các tính chất cấu trúc và điện tử là được phát triển đầy đủ như năng lượng hình thành các thông số mạng tối ưu hóa cấu trúc vùng điện tử mật độ trạng thái điện tử và phân bổ mật điện tích không gian. Năng lượng thay hình thành tính toán được đạt giá trị eV là rất lớn. Năng lượng hình thành lớn này cho thấy rằng AGeNR thay thế nguyên tử C là rất bền và hoàn toàn có thể tổng hợp bằng các phương pháp thực nghiệm. Liên kết C-Ge được tạo thành là mạnh hơn so với liên kết Ge-Ge dẫn đến độ mấp mô của cấu trúc AGeNR thay thế C là giảm so với cấu trúc AGeNR nguyên sơ. Cấu trúc vùng điện tử của AGeNR nguyên sơ biểu thị một độ rộng vùng cấm năng lượng eV là vẫn còn khá hẹp để tương thích cho một số ứng dụng yêu cầu độ rộng vùng cấm lớn hơn. Khi thay thế nguyên tử C thì độ rộng vùng cấm năng lượng được mở rộng eV và độ rộng vùng cấm được mở rộng này tương thích tốt cho các transistor hiệu ứng trường trong đó AGeNR thay thế C có thể được sử dụng như vật liệu kênh dẫn với tỷ số on off cao. Độ rộng vùng cấm được mở rộng là do hình thành các liên kết C-Ge rất mạnh. Các liên kết π và σ trong Ge-Ge nguyên sơ là bị biến dạng và chuyển thành các liên kết giả π và σ trong Ge-Ge trong liên kết C-Ge. Các liên kết giả σ mạnh là nguyên nhân dẫn đến sự bền vững của cấu trúc AGeNR thay thế C. Các tính chất thiết yếu của AGeNR thay thế C chứng minh rằng vật liệu bán dẫn 1D này sẽ rất triển vọng trong các thiết bị điện tử hiệu năng cao trong tương lai. Từ khóa Tính toán DFT germanene .

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
crossorigin="anonymous">
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.