tailieunhanh - Ảnh hưởng của thời gian selen hóa lên tính chất quang, điện và cấu trúc tinh thể của màng mỏng CZTSSe

Trong công trình này trình bày quy trình chế tạo lớp hấp thụ quang CZTSSe có cấu trúc tinh thể cao. Trước tiên CZTS được chế tạo bằng phương pháp quay phủ sau đó màng được chuyển đổi thành CZTSSe thông qua quá trình selen hóa bằng hộp than chì và lò nung ống. Bằng cách giữ cho nhiệt độ ủ không đổi và thay đổi thời gian ủ, các đặc tính cấu trúc, quang học, điện và thành phần của màng mỏng CZTSSe được khảo sát. Nhiễu xạ tia X và quang phổ Raman cho thấy những màng mỏng này thể hiện độ kết tinh cao và định hướng ưu tiên mạnh mẽ theo hướng (112), xác nhận sự hiện diện của pha Kesterite CZT Se. | Tạp chí Phát triển Khoa học và Công nghệ Khoa học Tự nhiên 5 1 1015-1023 Open Access Full Text Article Bài nghiên cứu Ảnh hưởng của thời gian selen hóa lên tính chất quang điện và cấu trúc tinh thể của màng mỏng CZTSSe Đào Anh Tuấn Phan Thị Kiều Loan Nguyên Hữu Kế Lê Vũ Tuấn Hùng TÓM TẮT Trong công trình này chúng tôi trình bày quy trình chế tạo lớp hấp thụ quang CZTSSe có cấu trúc tinh thể cao. Trước tiên CZTS được chế tạo bằng phương pháp quay phủ sau đó màng được chuyển Use your smartphone to scan this đổi thành CZTSSe thông qua quá trình selen hóa bằng hộp than chì và lò nung ống. Bằng cách giữ QR code and download this article cho nhiệt độ ủ không đổi và thay đổi thời gian ủ các đặc tính cấu trúc quang học điện và thành phần của màng mỏng CZTSSe được khảo sát. Nhiễu xạ tia X và quang phổ Raman cho thấy những màng mỏng này thể hiện độ kết tinh cao và định hướng ưu tiên mạnh mẽ theo hướng 112 xác nhận sự hiện diện của pha Kesterite CZT Se. Độ rộng vùng cấm quang của màng mỏng CZTSSe thay đổi từ 1 19 eV đến 1 62 eV tùy thuộc vào thời gian selen hóa. Ở thời điểm ủ nhiệt 540 0 C với thời gian ủ nhiệt 60 phút màng CZTSSe loại p có năng lượng vùng cấm quang là 1 19 eV nồng độ lỗ trống và điện trở suất lần lượt là 2 68 x 1019 cm 3 và 0 86 phù hợp cho ứng dụng quang điện. Từ khoá cấu trúc tinh thể selen hóa Kesterite CZTSSe phổ UV-Vis MỞ ĐẦU Trong nghiên cứu này để chế tạo các lớp hấp thụ của CZTSSe cấu trúc tinh thể cao chúng tôi đã áp dụng Trong những năm gần đây màng mỏng CZTSSe đã thu hút được sự chú ý của các nhà khoa học nghiên quy trình hai bước. Thứ nhất các màng mỏng CZTS cứu về pin mặt trời màng mỏng bởi các yếu tố như được điều chế bởi tiền chất không độc hại đơn giản các thành phần nguyên tố dồi dào chi phí thấp có hệ và kỹ thuật quay phủ và sau đó các màng được chuyển số hấp thu cao gt 104 cm 1 và có độ rộng vùng cấm đổi thành CZTSSe bằng cách selen hóa trong lò nung 0 9 -1 5 eV tối ưu cho pin măt trời 1 3 . Việc xuất ống thạch anh. Trong bước selen