tailieunhanh - Tán xạ e, e-→u,u-có sự tham gia của U-hạt khi xét tới sự phân cực trong mô hình siêu đối xứng

Trong bài báo này, chúng tôi nghiên cứu quá trình va chạm của các chùm e, e- tạo thành các chùm u,u- thông qua các hạt trung gian photon, Z boson, U-hạt và các hạt Higgs trung hòa có xét đến sự phân cực của chùm hạt e, e-. Kết quả cho thấy sự Ďóng góp của U- hạt vào tiết diện tán xạ là rất lớn, lớn hơn rất nhiều so với đóng góp của các hạt trung gian còn lại. | JOURNAL OF SCIENCE OF HNUE DOI Natural Sci. 2016 Vol. 61 No. 4 pp. 10-14 This paper is available online at http TÁN XẠ e e- µ µ- CÓ SỰ THAM GIA CỦA U-HẠT KHI XÉT TỚI SỰ PHÂN CỰC TRONG MÔ HÌNH SIÊU ĐỐI XỨNG Đào Thị Lệ Thủy1 Nguyễn Thị Tƣơi1 và Nguyễn Thị Hậu2 1 Khoa Vật lí Trường Đại học Sư phạm Hà Nội 2 Truờng Đại học Mỏ địa chất Hà Nội Tóm tắt. Trong bài báo này chúng tôi nghiên cứu quá trình va chạm của các chùm e e- tạo thành các chùm µ µ- thông qua các hạt trung gian photon Z boson U-hạt và các hạt Higgs trung hòa có xét Ďến sự phân cực của chùm hạt e e-. Kết quả cho thấy sự Ďóng góp của U- hạt vào tiết diện tán xạ là rất lớn lớn hơn rất nhiều so với Ďóng góp của các hạt trung gian còn lại. Từ khóa U-hạt tiết diện tán xạ Higgs trung hòa. 1. Mở đầu Trong những năm gần Ďây các nhà vật lí quan tâm nhiều Ďến việc phát hiện ra các hạt mới trên máy gia tốc Ďặc biệt là LHC Large Hadron Collider . Tuy nhiên các Ďặc tính liên quan Ďến các hạt này cần phải Ďƣợc chính xác hóa và Ďƣợc hiểu sâu sắc hơn Ďặc biệt là thông qua quá trình tán xạ phân rã có tính Ďến hiệu ứng tƣơng tác với chân không cũng nhƣ pha vi phạm CP Charge Parity . Cũng theo quan Ďiểm này ngƣời ta Ďề cập Ďến nhiều chất liệu không hạt và kéo theo Ďó là vật lí không hạt. Thực ra chất liệu không hạt xuất hiện do phần bất biến tỉ lệ không tầm thƣờng của lí thuyết hiệu dụng ở năng lƣợng thấp không thể Ďƣợc mô tả trong thuật ngữ của các hạt 1 . Vật lí U-hạt Unparticle physic có nhiều hứa hẹn trong việc tìm kiếm các hiện tƣợng vật lí mới dựa trên mô hình chuẩn mở rộng tại mức năng lƣợng cao lớn hơn TeV. Sự phá vỡ bất biến tỉ lệ tại năng lƣợng thấp Ďƣợc phục hồi ở năng lƣợng cao bởi Ďiểm cố Ďịnh hồng ngoại xa không tầm thƣờng gọi là trƣờng Banks - Zacks trƣờng BZ . Ở dƣới tỉ lệ năng lƣợng rất cao u tƣơng tác tái chuẩn hóa của trƣờng BZ sinh ra U-hạt bất biến tỉ lệ. Những U-hạt này không có khối lƣợng và thứ nguyên tỉ lệ không tầm thƣờng dU. Thứ nguyên tỉ lệ dU của .