tailieunhanh - Device performance of poly-Si thin film transistors fabricated on YSZ crystallization induction layer via a two step irradiation method using pulsed laser

In this study, we fabricated and investigated device performance of poly-Si thin-film transistors (TFTs) via a two-step pulsed-laser annealing (PLA) method on two kinds of substrates namely glass and YSZ*/glass. It was found that TFTs on YSZ/glass exhibited much better performance and uniformity among devices, ., they showed an average mobility of ~80 cm2 /Vs and standard deviation of ~18 cm2 /Vs, respectively, compared with ~40 cm2 /Vs and ~28 cm2 /Vs of TFTs on glass substrates, respectively. |

TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
33    120    0    20-04-2024
crossorigin="anonymous">
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.