tailieunhanh - Kết tinh nhiệt độ thấp màng mỏng silic vô định hình trên điện cực cổng đáy bằng cách sử dụng các phương pháp lớp kích thích kết tinh YSZ và kết tinh pha rắn

Mục đích của nghiên cứu này là khảo sát phương pháp SPC có hiệu quả với cấu trúc màng mỏng ở trên hay không. Để đạt được mục đích, chúng tôi đã thử với nhiều cấu trúc để tìm ra cấu trúc tối ưu cho phương pháp SPC. | UED Journal of Sciences Humanities amp Education ISSN 1859 - 4603 TẠP CHÍ KHOA HỌC XÃ HỘI NHÂN VĂN VÀ GIÁO DỤC KẾT TINH NHIỆT ĐỘ THẤP MÀNG MỎNG SILIC VÔ ĐỊNH HÌNH TRÊN ĐIỆN CỰC CỔNG ĐÁY BẰNG CÁCH SỬ DỤNG CÁC PHƯƠNG PHÁP Nhận bài 18 06 2016 LỚP KÍCH THÍCH KẾT TINH YSZ VÀ KẾT TINH PHA RẮN Chấp nhận đăng 25 09 2016 Mai Thị Kiều Liêna Susumu Horitab http Tóm tắt Chúng tôi đã kết tinh thành công màng mỏng silic vô định hình a-Si ở nhiệt độ thấp bằng việc sử dụng lớp kích thích kết tinh ôxit zicôni được ổn định bằng ôxit yttri YSZ kết hợp với phương pháp kết tinh pha rắn SPC . Màng mỏng silic đa tinh thể poly-Si được tạo thành từ phương pháp kết tinh này có thể áp dụng cho quá trình chế tạo transitor màng mỏng TFTs . Khả năng ứng dụng lớp YSZ như một lớp cổng cách điện cũng được khảo sát bằng các phép đo tính chất điện như đo sự phụ thuộc của điện dung vào hiệu điện thế C-V sự phụ thuộc của cường độ dòng điện vào hiệu điện thế I-V . Phép đo C-V cho thấy tính chất tại mặt phân cách giữa lớp YSZ và màng poly-Si là khá tốt. Hơn nữa hiện tượng trễ khó quan sát thấy. Phép đo I-V cho thấy dòng điện rò là tương đối thấp. Điều này có nghĩa là lớp YSZ được tin tưởng là có thể hoạt động như một lớp cách điện tương đối tốt. Từ khóa kết tinh pha rắn kết tinh nhiệt độ thấp màng mỏng silic YSZ silic vô định hình silic đa tinh thể. màng Si bằng phẳng. 1. Giới thiệu Có nhiều phương pháp chế tạo màng poly-Si ở Trong vài thập kỷ trở lại đây các tranzito màng nhiệt độ thấp trên đế thuỷ tinh như phương pháp kết tinh mỏng TFTs thu hút rất nhiều sự chú ý trong các ứng pha rắn SPC 5-7 phương pháp thúc đẩy sự hình dụng như thiết bị chuyển mạch trong hiển thị màn hình thành hạt nhân 8-10 phương pháp nung bằng laser phẳng ma trận hoạt động AM-FPD và trong công nghệ xung PLA 11-15 Đối với phương pháp SPC silic trên lớp cách điện SOI 1 . Nhằm cải thiện các màng poly-Si chế tạo được có bề mặt bằng phẳng và tính chất của TFTs như nâng cao độ linh động điện và kích thước hạt Si đồng .