tailieunhanh - Crystalline characteristics of annealed AlN films by pulsed laser treatment for solidly mounted resonator applications

AlN films were deposited on Si substrates using a reactive RF magnetron sputtering process and then the films were annealed by using different laser powers and wavelengths (355 nm, 532 nm and 1064 nm). For all three laser systems, the (002) peak intensity was obviously improved following laser irradiation. | Crystalline characteristics of annealed AlN films by pulsed laser treatment for solidly mounted resonator applications

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
crossorigin="anonymous">
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.