tailieunhanh - Cơ chế hấp thụ của GaN:Zn

Bài viết với nội dung bằng phương pháp nghiên cứu phổ huỳnh quang kích thích, khảo sát các cơ chế hấp thụ của vật liệu GaN ở miền gần bờ hấp thụ; các phép đo thực hiện trong dải nhiệt độ từ 13K đến nhiệt độ phòng; từ đường fit năng lượng đỉnh phổ huỳnh quang kích thích theo nhiệt độ, các thông số nhiệt Varshni đã được xác định. | cơ CHẾ HẤP THỤ CỦA GaN Zn Lê Thị Thanh Bình và Nguyễn Thanh Bình Bộ môn Vật lỵ Đại cương Khoa Vạt lỵ Trường Đại học Khoa học Tự nhiên Đại học Quốc gia Hà Hội Tóm tắt-. Bằng phương pháp nghiên cứu phổ huỳnh quang kích thích chúng tôi đã khảo sát các cơ chế hấp thụ của vật liệu GaN ỏ miền gần bò hấp thụ. Các phép đo được thực hiện trong dải nhiệt độ từ 13K đến nhiệt độ phòng. Dải hấp thụ tại 357 83nm 3 46eV được quy cho là hấp thụ exciton. Dải hấp thụ tại 372 64nm 3 328eV tương ứng với cơ chế hấp thụ tạo cặp donor-acceptor. Từ đường fit năng lượng đỉnh phổ huỳnh quang kích thích theo nhiệt độ các thông sô nhiệt Varshni đã được xác định. 1. Mở đầu GaN là vật liệu có nhiều triển vọng ứng dụng trong công nghệ chế tạo các linh kiện quang điện tử hoạt động ở miền gần cực tím vì nó là bán dẫn nhóm AinBIV với độ rộng vùng cấm cỡ 3 4eV tại nhiệt độ phòng. GaN có hai loại câ u trúc tinh thể tuỳ theo phương pháp chế tạo đó là a-GaN tinh thể lục giác Wurzite và P- GaN tinh thể lập phương 1 . Để thu được X- GaN người ta thường sử dụng đế Sapphire còn nếu sử dụng đê Si 100 có thể thu được p- GaN vì tinh thể GaN mặt trên đế sẽ tuân theo cấu trúc tinh thể của đế. GaN thường được chế tạo bằng các phương pháp như lắng đọng hoá học kim loại hữu cơ từ pha hơi MOCVD epitaxy từ kim loại hữu cơ MOVPE epitaxy từ pha hơi VPE epitaxy chùm phân tử MBE . 1 Các sai hỏng mạng hình thành trong quá trình chế tạo mẫu có ảnh hưởng lớn tới các tính chất quang và điện của GaN. Chính vì vậy các mẫu GaN được chế tạo bằng các phương pháp khác nhau có thê cho các giá trị năng lượng khác nhau đôi chút ứng với cùng một cơ chê chuyên mức điện tử 2 . Việc nghiên cứu tính chất quang của GaN và đặc biệt là quy luật phụ thuộc vào nhiệt độ T của các tính chất đó sẽ cho ta các thông sô quan trọng đặc trưng cho các quá trình vật lý trong mâu. Trong bài này chúng tôi sử dụng phương pháp đo phổ huỳnh quang kích thích để xác định các năng lượng hấp thụ bờ của GaN Zn. Ưu điểm của phương pháp này là có thể sử dụng mẫu .

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
crossorigin="anonymous">
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.