tailieunhanh - Ảnh hưởng của nhiệt độ đến cấu trúc, các tính chất quang và điện của màng Cu2O được lắng đọng bằng phương pháp CVD từ tiền chất Cu(ii) axetylaxetonat

Trong bài báo này màng mỏng Cu2O được lắng đọng trên đế thủy tinh bằng phương pháp CVD từ tiền chất đồng(II) axetylaxetonat với tác nhân phản ứng là hơi nước. Sự phụ thuộc của cấu trúc, các tính chất quang và điện của các màng Cu2O vào nhiệt độ lắng đọng được trình bày và thảo luận. | Tạp chí phân tích Hóa, Lý và Sinh học - Tập 20, Số 1/2015 ẢNH HƢỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ ĐẾN CẤU TRÚC, CÁC TÍNH CHẤT QUANG VÀ ĐIỆN CỦA MÀNG Cu2O ĐƢỢC LẮNG ĐỌNG BẰNG PHƢƠNG PHÁP CVD TỪ TIỀN CHẤT Cu(II) AXETYLAXETONAT Đến tòa soạn 6 – 8 – 2014 Nguyễn Mạnh Hùng Nhà máy Z121 – Tổng cục CNQP – Bộ Quốc phòng Triệu Thị Nguyệt, Nguyễn Hùng Huy, Phạm Anh Sơn Khoa Hóa học – Trường Đại học Khoa học Tự nhiên – Đại học QGHN SUMMARY EFFECTS OF TEMPERATURE ON STRUCTURAL, OPTICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OF Cu2O THIN FILMs DEPOSITED BY CVD METHOD FROM COPPER(II) ACETYLACETONATE PRECUSOR The Cu2O thin films were prepared on glass substrate by chemical vapour deposition method. The influences of deposited temperature on the structural, optical and electrical properties of deposited films were investigated by XRD, SEM, UV-VIS spectra and Hall Effect measurement. The X-ray diffraction results show that Cu2O thin films have polycrystalline structure. It is also found that the (200) and (111) preferred Cu2O films can be modified by changing substrate temperature. The bandgap of Cu2O films deposited at 240, 280 and 320oC is found to be 2,59 eV, 2,59 eV and 2,57 eV, respectively. Cu2O film deposited at 240oC has carrier concentration of 5,172 1013 cm-3, Hall mobility of 85,44 cm2/Vs and resistivity of 103 1. MỞ ĐẦU Đồng(I) oxit (Cu2O) là chất bán dẫn loại p, với các tính chất điện và quang thay đổi tùy thuộc vào các phƣơng pháp chế tạo. Do có ƣu điểm là hệ số hấp thụ quang cao kết hợp với giá thành sản xuất thấp và không độc hại [1], các màng 74 . Cu2O có nhiều ứng dụng trong các lĩnh vực khác nhau nhƣ trong các cảm biến oxi và độ ẩm [2], các thiết bị điện sắc [3] và lớp hấp thụ trong các pin mặt trời màng mỏng chuyển tiếp dị thể [4]. Các kỹ thuật lắng đọng màng khác nhau nhƣ bốc bay nhiệt [5], bốc bay phản ứng hoạt hóa (activated reactive evaporation) [6], epitaxy chùm phân tử [7], phóng xạ DC và RF [8-10], phủ dung dịch [11], sol – gel [12], lắng đọng điện hóa[4,13] và lắng đọng hơi