tailieunhanh - Mô phỏng đặc trưng dòng-thế của Spin Fet sử dụng Nemo-VN2

Chúng tôi đã phát triển một mô phỏng cho các thiết bị điện tử nano, NEMO-VN2. Trong cái này công việc, chúng tôi cung cấp tổng quan về transistor hiệu ứng trường quay. Chúng tôi sử dụng trình mô phỏng để khám phá hiệu suất của spin FET. Mô hình của FET spin dựa trên hàm Green không cân bằng và thực hiện bằng cách sử dụng giao diện người dùng đồ họa của Matlab. Các đặc tính điện áp hiện tại chẳng hạn như cống điện áp dòng điện áp, xả dòng điện được khám phá. | TAÏP CHÍ PHAÙT TRIEÅN KH&CN, TAÄP 15, SOÁ T3- 2012 SIMULATION OF CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS OF SPIN FIELD EFFECT TRANSISTOR USING NEMO-VN2 Dinh Sy Hien University of Science, VNU-HCM (Received December 20th, 2011, Accepted March 21st, 2012) ABSTRACT: We have developed a simulator for nanoelectronics devices, NEMO-VN2. In this work, we provide an overview of spin field effect transistor. We use the simulator to explore the performance of spin FET. The model of the spin FET is based on non-equilibrium Green function method and implemented by using graphic user interface of Matlab. The current-voltage characteristics such as drain current-voltage, drain current-gate voltage ones are explored. Keywords: Spin transistors, spin FET, non-equilibrium Green function, drain current-voltage characteristics, drain current-gate voltage characteristics. which had much better performance than INTRODUCTION In recent years, a vigorous research effort to demonstrate spin transistors has been pursued. previously used anisotropic magneto resistance property. One of the motivations has been that spin Following the preliminary realization of the transistors are identified as one of the most potential benefits of utilizing spin property, promising alternatives to traditional MOSFET Datta and Das proposed an electron wave by the International Technology Roadmap for analog of the electro-optic light modulator in Semiconductors have the late 1989 [5]. Most of the today’s interest in predicted that spin transistors can scale in their this newly born field of study is motivated by size with smaller switching energy and less their well-known proposed device which is overall power dissipation than MOSFET. now known as spin field-effect transistor (spin [1]. Simulations The idea of spin field-effect transistor FET). sparked after Fert et al. [2] and Grunberg et al. In this work, we start with an introduction to [3] discovered the giant magneto resistance the .

• Vật lý
• Spin bóng bán dẫn
• Dòng thế của Spin Fet
• Tiêu hao dòng điện áp
• Đặc điểm điện áp dòng xả
• Thiết bị điện tử nano
• Công nghệ sinh học
• Công nghệ nano
• Vật liệu nano
• phần tử sinh học
• Điện cực nano
• Thiết bị nano
• Luận văn Thạc sĩ Khoa học
• Vật lý vô tuyến và điện tử
• Luận văn Thạc sĩ
• màng nano
• Thông số điện
• Vật liệu màng mỏng
• Tổng hợp carbon nano sợi
• Kính hiển vi điện tử quét
• Hình thái bề mặt của composite
• Thiết bị tầng xúc tác
• Luận văn tiến sĩ
• Luận văn tiến sĩ Khoa học vật liệu
• Vật liệu điện tử
• Khoa học vật liệu
• Chế tạo dầu bôi trơn tản nhiệt
• Ống nano cacbon
• Điện tử trong graphene hai lớp
• Graphene hai lớp
• Mật độ trạng thái điện tử
• Ảnh hưởng của điện trường
• Thiết bị quang điện nano
• kỹ thuật công nghệ
• kỹ thuật viễn thông
• tổng quan viễn thông
• tài liệu viễn thông
• điện tử viễn thông