tailieunhanh - Nghiên cứu ảnh hưởng tán xạ nhiều lần từ vật liệu xung quanh đầu dò lên phổ năng lượng Gamma của đầu dò HPGE bằng chương trình MCNP
Trong bài báo này chương trình MCNP4C2 của Phòng thí nghiệm Los Alamos, Mỹ được dùng để mô phỏng phổ năng lượng gamma của Co-60 với đầu dò HPGe và so sánh với phổ thực nghiệm, khảo sát sự hấp thụ tia X đặc trưng của lớp thiếc và đồng lót ở mặt trong buồng chì, khảo sát ảnh hưởng của buồng chì lên nền tán xạ của phổ, khảo sát sự thay đổi dạng phổ khi để nguồn gần và xa đầu dò, khảo sát ảnh hưởng của đế lót nguồn lên phổ đặc bài báo này chương trình MCNP4C2 của Phòng thí nghiệm Los Alamos, Mỹ được dùng để mô phỏng phổ năng lượng gamma của Co-60 với đầu dò HPGe và so sánh với phổ thực nghiệm, khảo sát sự hấp thụ tia X đặc trưng của lớp thiếc và đồng lót ở mặt trong buồng chì, khảo sát ảnh hưởng của buồng chì lên nền tán xạ của phổ, khảo sát sự thay đổi dạng phổ khi để nguồn gần và xa đầu dò, khảo sát ảnh hưởng của đế lót nguồn lên phổ đặc bài báo này chương trình MCNP4C2 của Phòng thí nghiệm Los Alamos, Mỹ được dùng để mô phỏng phổ năng lượng gamma của Co-60 với đầu dò HPGe và so sánh với phổ thực nghiệm, khảo sát sự hấp thụ tia X đặc trưng của lớp thiếc và đồng lót ở mặt trong buồng chì, khảo sát ảnh hưởng của buồng chì lên nền tán xạ của phổ, khảo sát sự thay đổi dạng phổ khi để nguồn gần và xa đầu dò, khảo sát ảnh hưởng của đế lót nguồn lên phổ đặc trưng. | Science & Technology Development, Vol 11, - 2008 NGHIÊN CỨU ẢNH HƯỞNG TÁN XẠ NHIỀU LẦN TỪ VẬT LIỆU XUNG QUANH ĐẦU DÒ LÊN PHỔ NĂNG LƯỢNG GAMMA CỦA ĐẦU DÒ HPGE BẰNG CHƯƠNG TRÌNH MCNP Mai Văn Nhơn, Trương Thị Hồng Loan, Trần Ái Khanh, Trần Thiện Thanh Đặng Nguyên Phương Truờng Đại học Khoa học Tự nhiên, ĐHQG-HCM (Bài nhận ngày 29 tháng 03 năm 2007, hòan chỉnh sửa chữa ngày 25 tháng 02 năm 2008) TÓM TẮT: Trong bài báo này chương trình MCNP4C2 của Phòng thí nghiệm Los Alamos, Mỹ được dùng để mô phỏng phổ năng lượng gamma của Co-60 với đầu dò HPGe và so sánh với phổ thực nghiệm, khảo sát sự hấp thụ tia X đặc trưng của lớp thiếc và đồng lót ở mặt trong buồng chì, khảo sát ảnh hưởng của buồng chì lên nền tán xạ của phổ, khảo sát sự thay đổi dạng phổ khi để nguồn gần và xa đầu dò, khảo sát ảnh hưởng của đế lót nguồn lên phổ đặc trưng. Kết quả so sánh phổ mô phỏng cho thấy ở vùng trên 250 keV phổ mô phỏng khá phù hợp với phổ thực nghiệm, nhưng ở vùng năng lượng dưới 250 keV thì có sự khác biệt nền tán xạ cở 12,7%. Sự hiện diện của buồng chì và đế tán xạ chỉ ảnh hưởng đến vùng tán xạ ngược và tia X đặc trưng nhưng không ảnh hưởng đến số đếm trên diện tích đỉnh năng lượng toàn phần. Các kết quả có được làm nền tảng cho việc nghiên cứu phổ gamma của hệ phổ kế HPGe đang có để nâng cao độ chính xác trong phân tích định lượng nguyên tố trong mẫu môi trường . Từ khóa: Phổ gamma, Tán xạ nhiều lần, HPGe, MCNP, Đỉnh năng lượng toàn phần 1. GIỚI THIỆU Khi tương tác với môi trường vật chất của đầu dò, một phần năng lượng của photon ban đầu chuyển thành động năng của các electron trong quá trình quang điện, Compton và tạo cặp. Phần năng lượng còn lại chuyển cho các photon thứ cấp. Trừ trường hợp electron mất do tương tác xảy ra ở gần bề mặt tinh thể, trong những trường hợp còn lại động năng electron chuyển hoàn toàn thành xung điện. Động năng càng lớn khả năng tương tác càng cao thì độ cao xung càng lớn . Xung điện này được ghi nhận ở lối ra bởi hệ điện tử tiếp sau. Đo và .
đang nạp các trang xem trước
