tailieunhanh - Cơ chế ăn mòn Anốt làm xốp SiC trong dung dịch axít hyđroflorit loãng trong ethylen glycol hoặc nước

Trong bài báo này, chúng tôi trình bày các kết quả thực nghiệm để chỉ ra cơ chế ăn mòn anốt trực tiếp SiC trong dung dịch hyđroflorit (HF) loãng. Một lớp SiC xốp đã được tạo ra trên màng SiC vô định hình (aSiC) bằng ăn mòn anốt ở chế độ ổn dòng trong dung dịch axít hyđroflorit loãng với dung môi ehtylen glycol (HF/EG) hoặc nước (HF/H2O). Kết quả cho thấy sự phụ thuộc của hình thái lớp aSiC xốp vào mật độ dòng anốt trong hai trường hợp trên là khác nhau cho mỗi trường hợp. | TẠP CHÍ KHOA HỌC ĐẠI HỌC TÂN TRÀO Cơ CHÉ ĂN MÒN ANÓT LÀM XỐP SIC TRONG DUNG DỊCH AXÍT HYDROFLORIT LOÃNG TRONG ETHYLEN GLYCOL HOẶC NƯỚC Mechanisms of Sic porous anodic etching in the dilute solution of hydrofluoric acid in either ethylene glycol or water Ngày nhận bài 27 5 2016 ngày phản biện 07 6 2016 ngày duyệt đăng 20 6 2016 Cao Tuấn Anh Nguyễn Thúy Nga Đào Trần Cao Lưcmg Trúc Quỳnh Ngân Kiều Ngọc Minh TÓM TẮT Trong bài báo này chúng tôi trình bày các kết quả thực nghiệm để chỉ ra cơ chế ăn mòn anốt trực tiếp SiC trong dung dịch hydroflorit HF loãng. Một lớp SiC xốp đã được tạo ra trên màng SiC vô định hình aSiC bằng ăn mòn anốt ở chế độ ổn dòng trong dung dịch axít hydroflorit loãng với dung môi ehtylen glycol HF EG hoặc nước HF H2O . Kết quả cho thấy sự phụ thuộc của hình thái lớp aSiC xốp vào mật độ dòng anốt ưong hai trường hợp trên là khác nhau cho mỗi trường hợp. Các nghiên cứu tiếp theo cho thấy rằng nguyên nhân của sự khác biệt này nằm ở điểm gần như không có nước trong dung dịch HF EG loãng. Do sự khan hiếm nước trong dung dịch điện phân ở tất cả các mật độ dòng anốt aSiC phản ứng trực tiếp với HF của dung dịch điện phân tạo ra một hợp chất giữa Si và HF hòa tan vào dung dịch và cacbon tự do. Sau đó một phần của cacbon được ôxy hóa thành ôxít cacbon bằng nước có trong HF và bay hơi đi trong khi một phần khác còn lại trên bề mặt ăn mòn tạo thành một bề mặt giàu cacbon. Trong khi đó trong dung dịch HF H2O loãng với sự gia tăng của mật độ dòng anốt sự ăn mòm anốt aSiC thông qua phản ứng trực tiếp của aSiC với HF đã dần dần được thay thế bởi sự ăn mòn thông qua quá trình ôxy hóa diễn ra bởi phản ứng của aSiC với nước trong dung dịch điện phân. Từ khóa SiC xốp ăn mòn anổt ôxy hóa anốt HF Ethylen gỉycoỉ. ABSTRACT In this paper we present the experimental results to indicate the anodic etching mechanism directly Sic in the dilute hydrofluoric HF solution. A porous layer has been created in amorphous Sic aSiC thin films by constantcurrent anodization in a dilute