tailieunhanh - Dự thảo Tóm tắt Luận án Tiến sĩ Hóa học: Tổng hợp và ứng dụng các phức chất có khả năng thăng hoa để chế tạo màng mỏng oxit kim loại bằng phương pháp CVD

Luận án "Tổng hợp và ứng dụng các phức chất có khả năng thăng hoa để chế tạo màng mỏng oxit kim loại bằng phương pháp CVD" với mục đích nghiên cứu chế tạo màng mỏng oxit kim loại bằng phương pháp CVD từ các tiền chất có khả năng thăng hoa và khả năng ứng dụng các màng oxit vào thực tế. . | ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN Nguyễn Mạnh Hùng TỔNG HỢP VÀ ỨNG DỤNG CÁC PHỨC CHẤT CÓ KHẢ NĂNG THĂNG HOA ĐỂ CHẾ TẠO MÀNG MỎNG OXIT KIM LOẠI BẰNG PHƯƠNG PHÁP CVD Chuyên ngành: Hóa vô cơ Mã số: 62 44 25 01 DỰ THẢO TÓM TẮT LUẬN ÁN TIẾN SĨ HÓA HỌC Hà Nội - 2016 Công trình được hoàn thành tại: Khoa hóa học - Trường Đại học Khoa học Tự nhiên -Đại học Quốc gia Hà Nội Người hướng dẫn khoa học: 1. GS. TS. Triệu Thị Nguyệt 2. PGS. TS. Nguyễn Hùng Huy Phản biện: Phản biện: Phản biện: Luận án sẽ được bảo vệ trước Hội đồng cấp Đại học Quốc gia chấm Luận án tiến sĩ họp tại Khoa Hóa học - Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - Đại học Quốc gia Hà Nội. vào hồi: giờ ngày tháng năm 20 Có thể tìm hiểu Luận án tại: - Thư viện Quốc gia Việt Nam - Trung tâm Thông tin - Thư viện, Đại học Quốc gia Hà Nội MỞ ĐẦU 1. LÝ DO CHỌN ĐỀ TÀI Các oxit kim loại có nhiều ứng dụng khác nhau phụ thuộc vào cấu trúc tinh thể và tính chất của chúng. Trong số các oxit kim loại, ZnO và Cu2O đã nhận được nhiều sự quan tâm do chúng phổ biến, rẻ và không có độc tính. Ngoài ra, các oxit kim loại này có các tính chất quang và điện thích hợp cho nhiều ứng dụng trong các thiết bị điện. ZnO đã được sử dụng rộng rãi làm lớp cửa sổ trong các pin mặt trời và các tranzito màng mỏng truyền qua. Mặc dù có độ rộng vùng cấm lớn hơn giá trị vùng cấm lý tưởng cho các pin mặt trời, nhưng Cu2O có những ưu điểm để làm lớp hấp thụ ánh sáng trong các pin mặt trời như có độ linh động cao, chiều dài khuếch tán hạt tải phụ khá lớn, hệ số hấp thụ cao trong vùng khả kiến với chi phí sản xuất thấp và thân thiện với môi trường. Gần đây, các pin mặt trời dựa trên lớp chuyển tiếp dị thể p-n giữa Cu2O (p) và ZnO (n) đã nhận được nhiều sự quan tâm do hiệu suất chuyển hóa năng lượng lý thuyết của pin mặt trời dựa trên Cu2O-ZnO cao (~20%). Tuy nhiên, hiệu suất thực tế của các pin Cu2O-ZnO đã được chế tạo mới chỉ đạt khoảng 1% - 2 %. Do đó việc nghiên cứu các phương pháp và điều kiện lắng đọng màng mỏng