tailieunhanh - Nghiên cứu ảnh hưởng của hiệu ứng uốn cong vùng năng lượng lên tính chất điện của hạt tải trong mô hình giếng lượng tử pha tạp một phía

Bằng việc sử dụng phương pháp biến phân và các hàm phụ, các biểu thức mô tả ảnh hưởng của pha tạp lên sự phân bố của hạt tải trong giếng lượng tử đã được tác giả đưa ra. Các biểu thức mô tả các cơ chế tán xạ tác động lên quá trình vận chuyển của hạt tải cũng được xác định, đồng thời chỉ ra ảnh hưởng của pha tạp bất đối xứng một phía lên sự phân bố của hạt tải phụ thuộc vào mức pha tạp và độ rộng kênh dẫn. | TẠP CHÍ KHOA HỌC TRƯỜNG ĐẠI HỌC HỒNG ĐỨC - SỐ NGHIÊN CỨU ẢNH HƯỞNG CỦA HIỆU ỨNG UỐN CONG VÙNG NĂNG LƯỢNG LÊN TÍNH CHẤT ĐIỆN CỦA HẠT TẢI TRONG MÔ HÌNH GIẾNG LƯỢNG TỬ PHA TẠP MỘT PHÍA Nguyễn Quyết Tiến1, Trần Thị Hải2 TÓM TẮT Ảnh hưởng của pha tạp điều biến một phía lên hiện tượng vận chuyển của hạt tải giam cầm trong giếng thế vuông góc ở nhiệt độ thấp được nghiên cứu. Bằng việc sử dụng phương pháp biến phân và các hàm phụ, các biểu thức mô tả ảnh hưởng của pha tạp lên sự phân bố của hạt tải trong giếng lượng tử đã được tác giả đưa ra. Các biểu thức mô tả các cơ chế tán xạ tác động lên quá trình vận chuyển của hạt tải cũng được xác định, đồng thời chỉ ra ảnh hưởng của pha tạp bất đối xứng một phía lên sự phân bố của hạt tải phụ thuộc vào mức pha tạp và độ rộng kênh dẫn. Từ khóa: Pha tạp một phía, pha tạp điều biến, phương pháp biến phân, mức pha tạp, độ rộng kênh dẫn. 1. ĐẶT VẤN ĐỀ Giếng lượng tử pha tạp điều biến dựa trên Ge và SiGe đã nhận được nhiều sự quan tâm nghiên cứu trong thời gian gần đây vì tầm quan trọng của nó trong việc ứng dụng máy móc, thiết bị, nhất là các kênh dẫn loại p với độ linh động cao của hạt tải. Chúng được ứng dụng rộng rãi trong các cấu trúc transitor hiệu ứng trường. Để tăng độ linh động của khí lỗ trống, các cấu trúc dị chất với các kênh dẫn SiGe đã được quan tâm nghiên cứu mạnh mẽ [1,3]. Năm 2008, A. Gold [4] đã sử dụng lí thuyết flat-band và thấy rằng độ linh động tăng đơn điệu và phụ thuộc vào bề rộng giếng lượng tử. Những giải thích của [4] nhiều điểm chưa phù hợp với các nghiên cứu thực nghiệm về sự phụ thuộc của độ linh động vào bề rộng giếng lượng tử [6]. Các mô hình này chỉ giải thích được một số kết quả thực nghiệm như độ linh động phụ thuộc vào nồng độ hạt tải ps , nhưng không giải thích được sự phụ thuộc của độ linh động vào bề rộng giếng lượng tử L. Để khắc phục hạn chế của những tính toán lý thuyết khi sử dụng mô hình flat-band, năm 2007 Giáo sư Quang và cộng sự [7] đã đưa ra một lý thuyết bent-band, trong .