tailieunhanh - Bài giảng Electronic devices and circuit: Chapter 2 - Võ Tấn Phương

Bài giảng "Electronic devices and circuit - Chapter 2: BJT Transistor" cung cấp cho người học các kiến thức: Cấu tạo của BJT Transistor, nguyên lý hoạt động, các thông số và đặc tuyến, các chế độ làm việc. . | dce 2016 ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT Faculty of Computer Science and Engineering Department of Computer Engineering BK Vo Tan Phuong dce 2016 Chapter 2 BJT Transistor ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT– Chapter 2 © Spring 2016 2 dce 2016 Nội dung trình bày • Cấu tạo của BJT Transistor • Nguyên lý hoạt động • Các thông số và đặc tuyến • Các chế độ làm việc ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT– Chapter 2 © Spring 2016 3 dce 2016 Cấu tạo BJT Transistor • BJT = Bibolar Junction Transistor – Bibolar: cả lỗ trống và electron tham gia vào hoạt động dẫn điện – Gồm 2 mối nối PN nối tiếp nhau => có 2 cách PNP và NPN • Gồm 3 cực E (phát), B (nền), C (thu): – Nồng độ tạp chất thêm vào (doping): E > C (bình thường) > B – Lớp bán dẫn nền B ở giữa rất mỏng ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT– Chapter 2 © Spring 2016 4 dce 2016 Nguyên lý hoạt động • Phân cực 2 mối nối (EBJ và CBJ) quyết định các chế độ hoạt động của BJT • Có 4 khả năng: Chế độ hoạt động Mối nối EBJ Mối nối CBJ Tắt Phân cực ngược Phân cực ngược Khuếch đại Phân cực thuận Phân cực ngược Không dùng Phân cực ngược Phân cực thuận Mở (bảo hòa) Phân cực thuận Phân cực thuận ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT– Chapter 2 © Spring .

crossorigin="anonymous">
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.