tailieunhanh - Tiểu luận Vật lý: Nghiên cứu chế tạo màng SnO2 bằng phương pháp phún xạ Magnetron

Mời các bạn tham khảo tiểu luận Vật lý: Nghiên cứu chế tạo màng SnO2 bằng phương pháp phún xạ Magnetron sau đây để nắm bắt được những nội dung về tổng quan vật liệu SnO2; cơ chế tạo màng SnO2 bằng phương pháp phún xa Magnetron; thực nghiệm chế tạo màng SnO2 bằng phương pháp phún xạ. | fr fr fr ir fr ir fr ir fr ir fr ir fr ir fr ir fr ir fr ir fr ir fr ir fr fr fr fr fr fr fr fr fr fr fr fr fr fr fr fr fr fr fr fr fr ừ ừ ừ ừ ừ ừ TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC Tự NHIÊN TP HCM KHOA VậT lý BỘ MÔN Vật lý ứng dụng BÀI TIỂU LUÂN NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO MÀNG SnO2 BẰNG PHƯƠNG PHÁP PHÚN XẠ MAGNETRON GVHD TS. Lê Tr ấn HVTH Lý Ngọc Thủy Tiên ừ Tháng 5 2010 I. Tổng quan về vật liệu SnO2 1 Cấu trúc tinh thể và tính chất của SnO2 a Cấu trúc - Là tinh thể phân cực bất đẳng hướng có cấu trúc rutile như TiO2 GeO2 - Ô đơn vị chứa sáu nguyên tử hai thiếc bốn oxi. Bao quanh mỗi nguyên tử thiếc có sáu nguyên tử nguyên tử oxi tạo thành hình bát di ện có tâm là nguyên tử thiếc. - Hằng số mạng tinh thể a b 4 737Ao c 3 186Ao - Tỷtrọng ở 300oK là cm3 - Điểm nóng chảy 1630oC - Hệ số dãn nở nhiệt Cấu trúc tinh thể SnO2 b Tính chất -I- Tính chất khối - Là loại bán dẫn loại n trong suốt độ rộng vùng cấm 3 6 - 4 3 eV. - Trong mạng tinh thể tồn tại nhiều sai hỏng. SnO2 được biết đến như bán dẫn loại n do sự hiện diện của những nút khuyết oxi trong mạng tinh thể chính các nút khuyết này tạo điều kiện cho 2 điện tử trong nguyên tử Sn trở thành điện tử tự do từ đó hình thành hai mức donor EDI và ED2. EDI cách đáy vùng dẫn 1 trạng thái oxi hóa đạt được tại nhiệt độ khoảng 200oC. ED2 cách đáy vùng dẫn eV trạng thái oxi hóa đạt tại nhiệt độ 400oC. - Thiếc oxit có khả năng bền hóa học bền cơ học rất cao nó chỉ bị ăn mòn bởi kiềm nóng đậm đặc. -I- Tính chất điện - Độ dẫn điện của tinh thể bán dẫn ơb là tong độ dẫn của electron ơe và lỗ trống ơp . ơb ơe ơp Điện trở của vật liệu khối Rb được tính theo công thức Rb l với ơb ơe ơp .e ự l à độ linh động l chiều dài vật liệu A diện tích bề mặt. Nồng độ hạt tải điện đuợc tính __X __ EF-E7x _ 3 2 n Nc exP Nc 2 __X E - EE Ấ. X _ Z-3 2 p Nv exp Nv 2 . SnO2 là bán dẫn loại n là do tồn tại các nút khuyết oxi trong mạng tinh thể SnO2. Trong tinh thể SnO2 đồng thời chứa hai loại hạt Sn4 đã bị oxi hóa

• Khoa học tự nhiên
• Nghiên cứu chế tạo màng SnO2
• Phương pháp phún xạ Magnetron
• Vật liệu SnO2
• Cơ chế tạo màng SnO2
• Thực nghiệm chế tạo màng SnO2
• Đặc điểm màng SnO2
• Tạp chí Khoa học và Công nghệ
• Vật lý kỹ thuật
• Chế tạo màng dẫn điện trong suốt
• Phương pháp phún xạ Magnetron DC
• Thiết bị quang điện
• Phương pháp chế tạo màng SnO2
• màng nano tinh thể
• sự hấp phụ SnO2
• chuyển mạch quang
• công nghệ sản xuất
• khoa học công nghệ
• nghiên cứu khoa học
• hệ thống thông tin
• Luận án Tiến sĩ
• Luận án Tiến sĩ Khoa học vật liệu
• Khoa học vật liệu
• Chip điện cực đa cảm biến
• Hệ đa cảm biến khí
• Đơn cảm biến màng mỏng đa lớp
• trình bày báo cáo
• báo cáo ngành kỹ thuật
• báo cáo về tin học
• báo cáo ngành văn học
• báo cáo tiếng anh
• Tóm tắt Luận án Tiến sĩ
• Luận án Tiến sĩ ngành Vật liệu điện tử
• Cảm biến khí
• Xúc tác micro nano
• Luận án tiến sĩ Kỹ thuật
• Tính chất quang của vật liệu nano
• Vật liệu màng nano composit
• Vật liệu bộ nano