tailieunhanh - Tiểu luận Thiết kế mạch tích hợp: Các khối thu phát dùng CMOS và Biccmos Sige cho rada ôtô và các ứng dụng hình ảnh trong giải tần 80 -160GHz

Tiểu luận Thiết kế mạch tích hợp: Các khối thu phát dùng CMOS và Biccmos Sige cho rada ôtô và các ứng dụng hình ảnh trong giải tần 80 -160GHz nhằm so sánh định dạng SiGe HBT vs. 65nm n-MOSFET, cuộn cảm, biến áp và ăng ten. | GVHD Quang Tuấn Thiết kế mạch tích hợp CÁC KHỐI THU PHÁT DÙNG CMOS VÀ BICCMOS SIGE CHO RADA ÔTÔ VÀ CÁC ỨNG DỤNG HÌNH ẢNH TRONG GIẢI TẦN 80 -160GHz 1. Tóm tắt nội dung của chương - Kiểm tra sự phù hợp của SiGe BiCMOS và công nghệ dưới 65nm trong các ứng dụng ngoài tầm 80 GHz. - Kiến trúc của hệ thống được thảo luận sẽ dựa vào sự so sánh chi tiết của VCOs LNAs Pas và việc tạo bộ chia tần số tĩnh bằng CMOS và SiGE BICMOS. Những kiến trúc này được sử dụng trong radar điều khiển ôtô automotive cruise-control radar truyền dữ liệu tần số cao truyền ảnh tĩnh và động trong giải tần từ 80GHz đến 160 GHz. Qua thực nghiệm sẽ làm rõ các mẫu prototype công nghệ SiGe HBT và BiCMOS có đủ hiệu suất cho tất cả các block xây dựng ở 80 GHz ngay khi nhiệt độ cao khoảng 125 C. Mặc dù còn là công nghệ hứa hẹn nhưng việc tồn tại của những mạch 90nm GP CMOS và 65 nm LP CMOS tại những tần số này vẫn duy trì thua kém bản sao SiGe một cách đáng kể . 2. Giới thiệu -Tiềm năng ứng dụng của IC trong giải tần từ 80-160 GHz trong lĩnh vực radar điều khiển ôtô automotive cruise control ACC radar 1 truyền mm sóng ảnh tỉnh động và 10Gb s liên kết không dây tầm ngắn millimeter-wave passive 2 3 và active 4 imaging và 10Gb s shortrange wireless links 5 . - Trên 4 năm qua đã có một vài đơn vị nghiên cứu và thực hiện làm các IC 77GHz Ic được chế tạo từng khối bằng công nghệ SiGe HBT IC building blocks in SiGe HBT technology 7 - 18 . Mặc dù mm sóng dao động CMOS mm-wave CMOS oscillators đã đáp ứng được tần số cao tới 194 GHz 19 nhưng chỉ mới gần đây nhiễu pha và chỉnh tầm của 77 GHz CMOS VCOs mới được so sánh với SIGE BiCMOS 20 . - Một số 90 nm và bộ khuếch đại CMOS 65nm hoạt động trong khoảng 80 -100 GHz với độ lợi thấp hơn 10dB gần đây đã được công bố 21 hoặc trên báo chí 4 22 . Sự quan tâm trong SiGeBi CMOS và CMOS cho mm-wave SOCs đã được nhen nhóm do tác động thuận lợi mà các transitor bán dẫn nên có thể mở rộng quy mô trên thực tế tất cả các transitor bán dẫn tần số cao bằng merit FoMs và hy